内容

目次

第１編　薄膜材料の特性と特徴第１章　薄膜の特徴と特性第１節　薄膜とは薄膜の定義と表現薄膜の歴史第２節　薄膜の特徴薄膜化効果表面効果および界面効果結晶構造変化多層構造による効果その他第３節　薄膜の特性と作製方法要求特性と作製条件作製・形成方法薄膜作製の素過程薄膜特性と作製方法第４節　薄膜の特性と評価評価技術全般組成・構造評価特性（物性）評価第２章　薄膜材料の電気特性第１節　電気伝導さまざまな輸送現象ボルツマン輸送方程式磁気輸送現象電子の散乱量子輸送現象第２節　磁界効果電流磁気効果の一般論結晶軸に対する異方性の基本例薄膜構造の影響の基礎ＭＯＳ反転層における２次元導電現象と電流磁気効果第３節　熱電効果熱電効果熱電能の一般式薄膜材料の熱電能の測定第４節　ピエゾ抵抗ピエゾ抵抗係数ｎ型Ｓｉ（多谷型伝導帯）のピエゾ抵抗係数ｐ型Ｓｉのピエゾ抵抗係数第３章　薄膜材料の磁気特性第１節　まえがき第２節　磁性体の分類および磁気的性質磁性体の分類飽和磁化およびキュリー温度磁気異方性磁区第３節　軟磁性薄膜金属ソフト磁性材料開発のアプローチパーマロイ薄膜Ｆｅ—Ｃｏ—Ｎｉ合金薄膜センダスト系薄膜微結晶薄膜第４節　硬磁性薄膜磁気記録媒体としての磁性薄膜Ｎｄ—Ｆｅ—Ｂ／α—Ｆｅ多層膜型ナノコンポジット磁石第５節　スピンエレクトロニクス薄膜磁気抵抗効果金属人工格子，多層膜トンネル接合第４章　薄膜材料の光学特性第１節　透過・反射薄膜の光学光学多層膜の透過・反射導波路第２節　吸収薄膜における光吸収のメカニズムによる分類半導体（結晶）における吸収第３節　発光薄膜における発光のメカニズムによる分類母体中に添加された原子やイオンを利用した発光材料半導体中の電子と正孔の再結合を利用した発光材料第４節　電気光学効果電気光学効果とは強誘電体材料での屈折率変化の表現ポッケルス効果カー効果フランツ—ケルディッシュ効果量子閉込め構造での電界効果第５節　磁気光学効果磁気光学効果の現象論磁気光学効果の測定法各種物質の磁気光学スペクトル第６節　光伝導・光起電力光伝導光起電力第５章　薄膜材料の力学特性第１節　応力・ひずみ応力測定法蒸着膜応力スパッタ膜応力真性応力の原因第２節　硬さ・強度硬さの物理的意味超微小硬さについて薄膜の硬さ測定例第３節　付着力付着力と破壊付着力の原因付着性評価法成膜プロセスと付着力付着力向上対策のまとめ第４節　薄膜トライボロジー薄膜のトライボロジー特性評価法薄膜形成によるトライボロジー特性改善のメカニズム薄膜材料のトライボロジー第６章　薄膜材料の化学特性第１節　表面反応シリコンの熱酸化シリコン系の窒化金属の高温酸化第２節　光触媒光触媒と光電気化学セル微粒子光触媒のエネルギー構造光触媒の反応性に対する粒径効果酸化チタン光触媒酸化チタンの光触媒作用酸化チタン光触媒の固定化酸化チタン透明薄膜光触媒の抗菌性酸化チタン透明薄膜光触媒の超親水性第３節　耐食性，腐食性腐食性耐食性第４節　（超）はっ水／（超）親水表面ぬれを支配する二つの因子ぬれに対する化学的因子の効果フラクタル表面のぬれ：微細構造因子の効果超はっ水／はつ油表面の実現超はっ水表面に関する他の研究第２編　　薄膜の作製と加工第１章　基板と表面処理第１節　金属基板ステンレス鋼基板非鉄材料第２節　半導体基板（Ｓｉ，ＧａＡｓ等Ⅲ−Ⅴ族化合物，ＳｉＣ）シリコン基板表面処理ＧａＡｓ等Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体基板表面処理ＳｉＣ基板表面処理第３節　絶縁体基板■ガラス基板ガラス材料の特徴ガラス基板への要求項目各種基板ガラスの種類および製造法ガラス基板の代表的用途■酸化物単結晶基板：サファイア（ＺｎＯ，ペロブスカイト）サファイア（Ａｌ２Ｏ３）酸化亜鉛（ＺｎＯ）各種ペロブスカイト基板結晶　微傾斜基板ほか■酸化物基板：マグネシア（ＭｇＯ）マグネシア単結晶の育成マグネシア単結晶基板の加工マグネシア単結晶基板の熱処理第４節　プラスチック基板プラスチックとはプラスチック基板の留意点応用各論まとめと将来展望第２章　ＰＶＤ法第１節　真空蒸着法真空蒸着化合物の蒸着第２節　分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法ＭＢＥの原理と特徴固体ソースＭＢＥ装置とＭＢＥ成長ガスソースＭＢＥ装置と成長過程Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体のＭＢＥＳｉ系半導体のＭＢＥⅡ−Ⅳ族化合物半導体のＭＢＥシリサイド，金属間化合物，絶縁物のＭＢＥ第３節　スパッタリング法スパッタ現象スパッタ成膜過程スパッタ成膜法第４節　イオン化蒸着法薄膜形成におけるイオン照射効果イオン化蒸着膜の形成方法と特徴第５節　パルスレーザ堆積（レーザアブレーション）法原理と特徴成膜装置メカニズム研究例新しい展開：コンビナトリアルレーザ分子線エピタキシー法第３章　ＣＶＤ法第１節　熱ＣＶＤ法■熱ＣＶＤの原理熱ＣＶＤ反応系の種類とその特徴■シリコン系半導体膜ＳｉＧｅ薄膜のＧｅ比率制御とＰ，Ｂ，Ｃドーピング制御シリコン系薄膜の選択エピタキシャル成長と多結晶成長シリコン系薄膜の原子層成長制御と原子層ドーピング制御■金属・シリサイド膜各論（Ｓｉデバイス適用例）■金属窒化膜金属窒化膜の堆積■絶縁膜低温熱ＣＶＤ：ＳｉＯ２高温熱ＣＶＤ：ＳｉＯ２高温熱ＣＶＤ：Ｓｉ３Ｎ４第２節ＡＬＥ法■ＡＬＥ法の原理ＡＬＥの特徴ＡＬＥプロセスのメカニズムＡＬＥプロセスウインドーＡＬＥリアクター■ＡＬＥ法によるアルミナ／チタニア積層膜の形成ＡＴＯ膜の特徴ＡＴＯ膜の実例■ＬＳＩ用膜ＡＬＣＶＤ法の特徴とＬＳＩ用膜への適用性ＬＳＩ用膜のＡＬＣＶＤプロセス概要Ａｌ２Ｏ３膜ＺｒＯ２膜その他第３節プラズマＣＶＤ法■プラズマＣＶＤ法および光ＣＶＤ法プラズマＣＶＤ法の原理・概観光ＣＶＤの原理・概観■アモルファスおよび微結晶シリコン系薄膜■シリコンおよびｌｏｗ−ｋ膜の成膜シリコンの低温成膜ｌｏｗ−ｋ膜の成膜第４節　ＭＯＣＶＤ法■ＭＯＣＶＤ法の原理ＭＯＣＶＤ用原料ＭＯＣＶＤ装置結晶成長機構■Ⅲ−Ｖ族ＧａＡｓ系ＩｎＰ系ＧａＮ系選択成長量子ナノ構造■Ⅱ−Ⅳ族Ⅱ−Ⅳ族半導体とＭＯＣＶＤナローギャップ系ミドルギャップ系ワイドギャップ系■酸化物超伝導酸化物薄膜強誘電性酸化物薄膜酸化物薄膜の原子層ＣＶＤ第４章　液相成長法第１節　液相エピタキシー法原理と成長方法成長層の厚さの制御混晶の組成制御格子整合不純物濃度の制御第２節　種子結晶基板製作への応用と展望基板用結晶と成長原理厚い結晶層の成長法第５章　塗布・ゾル−ゲル法第１節　塗布法概略塗布形成層間絶縁膜材料スピンコーティング法プリウェット—スピンコーティング法ノズルスキャン塗布法第２節　インクジェット塗布法インクジェットの要素技術インクジェット液滴の特徴インクジェット塗布成膜技術：有機ＥＬディスプレイ開発第３節　ゾル−ゲル法による機能性薄膜の作製ゾル−ゲルプロセス無機・有機ハイブリッド膜ゾル−ゲル法による機能性薄膜と微細パターニング光感応性ゲル膜による電子・光学素子の作製第４節　めっき法電気めっき無電解めっき応用例第６章　ナノ構造作製法第１節　ナノ構造作製法の原理半導体微細加工技術電子ビーム用レジストの解像度高解像度電子線用ネガ型レジスト：カリックスアレンレジストの分子量と解像度ならびに感度の関係集束イオンビームによる立体ナノ構造形成技術第２節　ＭＢＥによる自己形成量子ドット自己形成量子ドットの形成原理ＭＢＥによる形成技術第３節　フォトニック結晶完全３次元フォトニック結晶と超小型光回路２次元フォトニック結晶とその応用第７章　有機・高分子・生体関連薄膜作製法第１節ウェット作製プロセス■スピンコート，ＬＢスピンコーティング水面上の単分子膜形成能と化学構造単分子膜ＬＢ法ＬＢ膜の構造ＬＢ膜製膜装置π−Ａ曲線■電解重合法薄膜作製法としての電解重合法電解重合膜の作製システム電解重合膜の成長カウンターイオンによる機能付加電気化学デバイスの固体化■交互吸着法交互吸着法とは薄膜作製法積層薄膜の構造交互吸着法の展開交互吸着膜の利用第２節　ドライ作製プロセス■蒸着法（分子線エピタキシー法）ファンデアワールス基板上への有機薄膜のエピタキシャル成長ダングリングボンド終端した基板表面上への有機薄膜のエピタキシャル成長イオン結晶基板上への有機分子薄膜のエピタキシャル成長選択成長による有機ナノ構造の作製今後の展望■蒸着重合ラジカル重合系蒸着重合縮合系蒸着重合蒸着重合の特徴蒸着重合の応用将来の薄膜材料への展望第３節　ソフトマテリアルの自己組織化■金−チオール自己組織化膜自己組織化膜の作製法アルカンチオール自己組織化膜の構造と物性機能性自己組織化膜の作製と応用■低分子（合成脂質系）双頭型脂質の分子設計種々の高軸比ナノ構造（ＨＡＲＮ）形成■自己組織化による高分子薄膜のパターン化高分子キャスト過程における「自己組織化」現象材料化に向けてタンパク質の２次元結晶化生体内のタンパク質２次元結晶タンパク質２次元結晶作製水溶性タンパク質：フェリチンの２次元結晶化の実例固体基板上に作られる２次元結晶の例：Ｓ—ｌａｙｅｒ，Ｈｓｐタンパク質の結晶化の目的と新しい応用第８章　パターン化技術第１節　リソグラフィリソグラフィの動向ＫｒＦ（２４８ｎｍ）リソグラフィ超解像リソグラフィＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィＦ２レーザ（１５７ｎｍ）リソグラフィＸ線リソグラフィ　電子線リソグラフィ第２節　レジストリソグラフィの動向とレジストＫｒＦ（２４８ｎｍ）リソグラフィ用レジストＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィ用レジストＦ２レーザ（１５７ｎｍ）リソグラフィレジスト材料ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅＵＶ：１３ｎｍ）用レジスト電子線レジスト第３節　ウェットエッチングＳｉＯ２のエッチングＳｉ３Ｎ４のエッチングその他の絶縁膜エッチングＳｉのエッチングその他の半導体材料のエッチング金属のエッチング第９章　薄膜の加工／改質技術第１節　ＣＭＰ技術ＬＳＩデバイス平たん化とＣＭＰ技術ＣＭＰ装置と研磨液ＬＳＩデバイス平たん化工程への実施例第２節　再結晶・アニールレーザビーム再結晶化法高品位多結晶Ｓｉ薄膜形成方法第３節　プラズマエッチング技術プラズマエッチングとはプラズマエッチング機構プラズマエッチング装置チャージアップダメージの抑制高密度プラズマ生成における放電周波数の効果ガス構造最適化による高精度エッチング第４節　レーザ加工・改質薄膜加工・改質用レーザ研究開発状況第５節　Ｘ線（放射光）・電子線加工・改質放射光加工電子線加工第６節　ビーム加工電子ビーム加工集束イオンビーム加工物質波テクノロジー第７節　ＳＴＭ加工■無機物原子の移動による加工クラスターの移動による加工水素原子はく離によるテンプレート作製と原子オーダ加工走査プローブ陽極酸化法を用いた微細加工■走査プローブ顕微鏡による有機材料の加工・記録プローブ加工プローブ記録プローブ加工・記録の今後第３編　薄膜・表面・界面の分析と評価第１章　薄膜・表面・界面の分析・評価第１節　電子線透過電子回折法（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ；ＴＥＤ）反射高速電子回折法（ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｈｉｇｈ−ｅｎｅｒｇｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ；ＲＨＥＥＤ）低速電子回折法（ｌｏｗ−ｅｎｅｒｇｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ；ＬＥＥＤ）透過電子顕微鏡法（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＴＥＭ）反射電子顕微鏡法（ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＲＥＭ）反射低速電子顕微鏡法（ｌｏｗ−ｅｎｅｒｇｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＬＥＥＭ）走査電子顕微鏡法（ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＳＥＭ）走査透過電子顕微鏡法（ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＳＴＥＭ）走査反射電子顕微鏡法（ｃａｎｎｉｎｇ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＳＲＥＭ）電子顕微鏡を用いた分析（ａｎａｌｙｔｉｃａｌｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＡＥＭ）第２節　イオンビームによる組成分析ＳＩＭＳＰＩＸＥＲＢＳＩＳＳ第３節　光概説光吸収，光反射フォトルミネッセンス光伝導・光容量法第４節　ＳＯＲ光ＳＯＲ光の発生挿入光源装置分析方法放射光施設利用に際しての留意点第５節　薄膜のＸ線評価多結晶薄膜単結晶薄膜第６節　ＸＰＳ・ＵＰＳ特徴装置ＸＰＳスペクトルに含まれる情報深さ方向分析分析例測定における注意点第７節　走査プローブ顕微鏡走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）第２章　薄膜分析・評価対象各論第１節　膜厚分析膜厚測定法第２節　組成分析Ｌａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒの法則と検量線特性Ｘ線や単色Ｘ線による励起と定性分析ＸＰＳの定量分析Ｘ線・電子線による内殻励起と定性分析イオンによる励起と定性分析オージェ電子分光法（ＡＥＳ）の定量分析第３節　形態分析透過電子顕微鏡走査電子顕微鏡反射電子顕微鏡低エネルギー電子顕微鏡第４節　結晶性—ＲＨＥＥＤ法を中心として電子の波長電子回折理論ＲＨＥＥＤ図形による薄膜結晶の評価第５節　化学結合状態事前作業手法帯電とエネルギーの較正相手元素（組成）価数（形式価数）とピークエネルギー値オージェパラメータ主ピークからのエネルギー損失関数多重項分離測定時損傷：化学状態分析の限界第６節　欠陥・応力・ひずみ・付着力—界面強度の力学的評価界面強度の考え方界面端からの亀裂発生評価試験法界面亀裂の伝播第７節　薄膜の表面・界面制御と信頼性薄膜の研究開発と表面・界面制御薄膜界面の役割薄膜界面制御事例第４編　　薄膜技術の応用と展望第１章　　半導体デバイス第１節　ＬＳＩ■ＭＯＳＦＥＴ用薄膜の応用と展望薄膜とデバイススケーリング則ＭＯＳＦＥＴ構造の技術トレンドＭＯＳＦＥＴ用シリサイド膜と金属膜技術展望■ゲート酸化膜ゲート酸化膜の薄さ酸化膜の絶縁破壊ストレス誘起リーク電流（ＳＩＬＣ）今後の展開■メモリーセル用薄膜：ＤＲＡＭ用キャパシタ薄膜ＤＲＡＭの動作原理メモリーセル構造の変遷：キャパシタ容量の確保キャパシタ材料とキャパシタ薄膜作製プロセスＤＲＡＭ用キャパシタの課題と技術動向■フラッシュメモリー用トンネル絶縁膜フラッシュメモリーの素子構造と動作原理トンネル絶縁膜への要求性能トンネル酸窒化膜トンネル絶縁膜の今後の課題■ＦｅＲＡＭ用キャパシタ薄膜ＦｅＲＡＭの動作原理キャパシタ材料とＦｅＲＡＭの作製プロセスＦｅＲＡＭ用キャパシタの課題と動向■ＭＲＡＭ用強磁性トンネル接合薄膜ＭＲＡＭの素子構造と動作原理ＴＭＲ素子材料薄膜作製プロセスと製造装置ＭＲＡＭ用ＴＭＲ薄膜の課題と動向■イオン注入イオン注入法の特徴イオン注入装置ＬＳＩデバイスにおけるイオン注入の応用と将来展望■ＳＯＩＳＯＩ基板の製造方法ＳＯＩデバイス第２節化合物電子デバイス／量子効果デバイス■ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）素子構造と動作原理ＩｎＰ系ＨＥＭＴとその特性ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＥＭＴとその特性Ｓｉ系ＨＥＭＴＭＭＩＣ技術■ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）動作原理と直流動作高周波動作電子走行時間実際のデバイス構造結晶系の変更によるＨＢＴの高性能化ＨＢＴの回路応用■量子効果素子第２章　光部品第１節光学多層膜光部品■反射防止膜光学薄膜の特性計算単層反射防止膜２層反射防止膜３層反射防止膜４層反射防止膜等価膜と多層反射防止膜■ミラーおよびフィルター反射増強膜（ミラー類）波長分割膜（フィルター類）光路・光量分割膜（ビームスプリッター類）その他の光学薄膜■光学多層膜の応用例および評価方法光学多層膜の応用例光学薄膜の評価方法第２節　光導波路デバイス■無機光導波路デバイスＰＬＣデバイスの特徴石英系ガラス導波路の作製法アレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）型波長フィルター光スイッチアドドロップデバイスＡＷＧと半導体をハイブリッド化した高速波長セレクタ■有機光導波路デバイスポリマー材料の設計と合成光導波路作製プロセス光インターコネクションと光実装応用光導波路デバイス第３節発光ダイオードＬＥＤとはＬＥＤの発光原理，発光効率η（発光効率）を向上させるためのＬＥＤの構造半導体材料と発光波長第４節　半導体レーザ■Ⅲ−Ｖ族半導体レーザ半導体レーザの構造と薄膜作製技術Ⅲ—Ⅴ族半導体レーザの応用分野光ディスク用半導体レーザ■青紫色ＬＤ低転位ＧａＮ形成技術低転位ＧａＮ上４００ｎｍ帯ＬＤの構造ＬＤ特性今後の展望第５節　ＣＣＤ・イメージセンサＣＣＤの原理ＣＣＤのイメージセンサへの応用ＣＭＯＳセンサ第３章　ディスプレイ第１節　薄膜ＥＬディスプレイ薄膜ＥＬディスプレイの構造と動作ＥＬ動作機構とＥＬ発光材料に要求される特性薄膜ＥＬディスプレイの発光層材料薄膜絶縁層と透過型ＥＬディスプレイ薄膜発光層／厚膜絶縁層混成構造カラーＥＬディスプレイ第２節　ＬＣＤ■アモルファスＳｉＴＦＴアモルファスＳｉＴＦＴの構造ＴＦＴ用薄膜材料と製造工程アモルファスＳｉＴＦＴの特性アモルファスＳｉＴＦＴ—ＬＣＤの動向■多結晶ＳｉＴＦＴＴＦＴプロセスＴＦＴ構造今後の課題と展望第３節　ＰＤＰＡＣ型カラーＰＤＰの構造ＰＤＰの表示原理ＰＤＰの作製工程今後の展望第４節　透明導電膜—ＩＴＯを中心に電気伝導機構低抵抗化へのチャレンジアモルファスＩＴＯ薄膜超平たんＩＴＯ薄膜第５節　ＦＥＤＦＥＤの基本構造フィールドエミッタ（ＦＥ）からの電子放射ＦＥＤの駆動原理とパネルの試作例その他のエミッタとＦＥＤの試作例第４章　記録第１節　磁気記録用薄膜の応用と課題ＡＭＲヘッド材料ＧＭＲ材料：スピンバルブに至るまでスピンバルブＧＭＲヘッド材料将来展望と課題第２節　ＣＤ・ＤＶＤ・ＲＯＭ光ディスクの記録・再生原理光ディスクの作製プロセスコンパクトディスク（ＣＤ）ＤＶＤ高密度化のアプローチ光ディスクの発展第３節　書換え型ＣＤ・ＤＶＤ相変化光ディスクの概要Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料ディスク構造ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体保護層書換え型光ディスクの高密度化第４節　近接場記録近接場光と表面プラズモン光近接場光と光記録近接場記録の今後の展開第５節　蒸着テープ蒸着テープの構造斜方蒸着法磁気特性の制御方法と磁性膜の微細構造記録再生特性と走行耐久性の向上蒸着テープのアプリケーション今後の技術動向第６節　光磁気ディスク記録媒体の構造記録原理と変調方式再生原理と高密度化技術第５章　センサ第１節　ガスセンサガスセンサの概要半導体ガスセンサ固体電解質センサへの薄膜技術の応用その他のガスセンサへの薄膜技術の応用第２節　力学センサ力センサとトルクセンサ圧力センサ加速度センサ角速度センサ振動・衝撃センサ温度センサと流量センサ第３節　磁気センサ薄膜磁気センサＳＱＵＩＤセンサＭＩ効果センサフラックスゲートセンサＨａｌｌ効果センサＭＲ／ＧＭＲ／ＴＭＲ効果センサ第４節　赤外線センサ量子型赤外線センサ熱型赤外線センサ第５節　においセンサにおいセンサの原理定常応答測定装置測定結果計算化学を用いたセンサ応答予測法第６節　バイオセンサバイオセンサの原理酵素固定化膜の作製と酵素センサ免疫センサ微生物センサ動物・植物組織センサ電極型遺伝子チップセンサ第６章　マイクロマシン第１節　マイクロマシン技術マイクロマシニングとナノマシニング具体例実用化の課題第２節　マイクロマシンと薄膜の機械的物性マイクロマシニング技術を用いた薄膜の機械的物性評価手法第３節　アクチュエータとその応用各種のマイクロアクチュエータマイクロアクチュエータの応用今後の展望第４節　マイクロ成形応用マイクロマシンとマイクロ成形応用微細３次元加工技術の要求世界におけるＬＩＧＡプロセス研究開発状況ＬＩＧＡプロセスの課題と今後の展開姫路工業大学放射光施設（ニュースバル）第７章　環境エネルギー第１節　シリコン太陽電池太陽電池の動作原理と特徴太陽電池の種類薄膜太陽電池の特徴ａ−Ｓｉ太陽電池薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池ハイブリッド太陽電池太陽電池の応用今後の展望第２節　ＣＩＳ系薄膜太陽電池ＣＩＳ系薄膜太陽電池の特徴ＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造法応用例：商業化への動き第３節　色素増感太陽電池グレッツェル・セルの構造とその作製法グレッツェル・セルの発電機構グレッツェル・セルの特徴実用化への課題第４節　燃料電池燃料電池とその原理燃料電池の構成燃料電池の種類固体高分子型燃料電池水素源第５節　光触媒光触媒の特徴タンカー流出油の分解環境ホルモンの分解染色廃液の脱色ダイオキシン類の分解大気浄化第６節　選択透過膜■選択透過無機膜セラミックス膜炭素膜ゼオライト膜触媒膜■有機高分子膜ガス分離膜促進輸送膜浸透気化（蒸気透過）分離膜薄膜作製第７節　親水・はっ水膜親水／はっ水膜材料親水膜の応用はっ水膜の応用今後の展望第８節　金属酸化物多孔性薄膜微粒子間の空隙を利用した多孔性薄膜の作製鋳型法による多孔性薄膜の作製第８章　有機バイオデバイス第１節　有機発光素子■有機薄膜発光ダイオード有機ＬＥＤディスプレイの研究開発有機ＬＥＤの動作原理有機ＬＥＤに用いる材料■有機固体レーザ共振器構造の設計有機材料の設計導波路構造の検討第２節　導電性高分子薄膜■ポリアセチレンケミカルドーピング電気伝導度ポリアセチレンヘリカルポリアセチレン■ポリビニルカルバゾール類光学材料エレクトロルミネッセンス材料モノリシックフォトリフラクティブ材料極性配向膜作製と絶対配向方向の決定■ポリアニリンポリアニリン薄膜の作製法構造とスペクトル電気的性質電気化学機能■ポリジアセチレン第３節　有機トランジスタ■π共役低分子π共役系材料π共役系材料を用いたトランジスタチオフェン系トランジスタ伝導機構を解明する試み材料の構造と電気特性アセン系トランジスタと超伝導およびレーザ発振まとめと将来展望■π共役高分子動作原理研究の現状■デバイス評価・応用その場電界効果測定による有機薄膜物性評価ドナー・アクセプタ分子積層構造トランジスタ縦型有機トランジスタ複合型有機発光トランジスタ素子第４節　バイオデバイス■光電子機能ＤＮＡ膜機能材料としてのＤＮＡＤＮＡ膜の作製方法インターカレーションの方法測定例ＤＮＡデバイス化の可能性■ＤＮＡチップＤＮＡチップとはＤＮＡチップによる遺伝子の発現解析ＤＮＡチップ・マイクロアレイから次世代ＤＮＡチップへ■マイクロ化学デバイスマイクロ化学デバイスの特徴マイクロ単位操作主なマイクロ化学デバイス■光デバイスとしてのバクテリオロドプシンバクテリオロドプシンの構造と機能光デバイスへの応用配向が制御されたＢＲ薄膜の作製と解析第９章　カーボンナノストラクチャー第１節　構造と特徴フラーレンカーボンナノチューブカーボンナノホーンナノオニオン，バッキーオニオンメソポアカーボン第２節　作製と分離・精製方法フラーレンの生成法フラーレン分離法カーボンナノチューブの合成法　カーボンナノチューブの精製法第３節電界放出電子源とディスプレイＣＮＴの構造電界放出とＣＮＴの特徴ＣＮＴ膜の作製ディスプレイへの応用第４節　電子デバイスエレクトロニクス材料としてのカーボンナノチューブカーボンナノチューブの合成電界効果トランジスタＬＳＩ配線新機能デバイス第５節　カーボンナノチューブ等による水素吸蔵水素貯蔵技術多様なカーボンナノストラクチャーカーボンナノチューブによる水素吸蔵グラファイトナノファイバーによる水素吸蔵その他のカーボンナノストラクチャーによる水素吸蔵第６節　可溶化と生体・医薬への応用ナノチューブの側面を化学修飾するナノチューブを切断して，末端を化学修飾するナノチューブが溶ける溶媒を見つけ出す第７節　ＤＬＣ膜ＤＬＣの特徴・製法ＤＬＣの摩擦・摩耗特性ＤＬＣの用途開発高分子材料へのＤＬＣコーティング技術●キーワード索引●略語索引●化学式索引●評価方法と評価対象一覧