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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
五十嵐征輝編著. -- CQ出版, 2011. -- (Power electronics). <BB01717822>
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
五十嵐征輝編著. -- CQ出版, 2011. -- (Power electronics). <BB01717822>
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群馬高専
図書_開架
549.6||I23
3115008
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0001
巻号
所蔵館
群馬高専
配置場所
図書_開架
請求記号
549.6||I23
資料ID
3115008
状態
コメント
返却予定日
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書誌詳細
標題および責任表示
パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 / 五十嵐征輝編著
パワー デバイス IGBT カツヨウ ノ キソ ト ジッサイ : MOSFET ト トランジスタ ノ トクチョウ オ イカシタ スイッチング ソシ
出版・頒布事項
東京 : CQ出版 , 2011.4
形態事項
183p ; 21cm
巻号情報
ISBN
9784789836098
書誌構造リンク
Power electronics <BB00510697>//a
その他の標題
異なりアクセスタイトル:パワーデバイスIGBT活用の基礎と実際
パワー デバイス IGBT カツヨウ ノ キソ ト ジッサイ
注記
参考文献: p177-178
学情ID
BB05523583
本文言語コード
日本語
著者標目リンク
五十嵐, 征輝 (1960-)||イガラシ, セイキ <AU00032049>
分類標目
電子工学 NDC8:549.6
分類標目
電子工学 NDC9:549.6
件名標目等
トランジスター||トランジスター
件名標目等
パワーエレクトロニクス||パワーエレクトロニクス
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