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検索結果 1,293 件

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
紙雑誌
電子情報通信学会1987-2020<Z16-940>
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
紙雑誌
電子情報通信学会電子情報通信学会1987.4-
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  • 一般注記...hnical report (SDM2002-1〜7 (2002)......てのVol.,No.を併記. SDM87-1〜11はVol.87 ...... 大きさ変更: 26cm (-SDM2001-262〜267 (2001))→30cm (SDM2002-1〜7 (2002)-)

走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (シリコン材料・デバイス)

走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (シリコン材料・デバイス)
紙デジタル記事
沖川 侑揮, 大野 雄高, 岸本 茂 他<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報110(424) 2011.2.23・24p.31～36
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  • 要約等...chnical Report;SDM2010-232
  • レポート番号（雑誌記事）SDM2010-232

Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価

Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
記事
2015電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス115p.1-4
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エバネッセント励起による超高感度蛍光測定と応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)

エバネッセント励起による超高感度蛍光測定と応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
記事
2013-04-18電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス113 17p.15-16
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3D Integration : 何を、いつから期待する?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

3D Integration : 何を、いつから期待する?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
記事
2013-07-25電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス113 172p.41-
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InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価

InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価
記事
2012-01-31電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 426p.25-29
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牛乳アレルギー患者のIgEエピトープ解析法の開発(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)

牛乳アレルギー患者のIgEエピトープ解析法の開発(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
記事
2013-04-18電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス113 17p.103-104
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単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性

単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性
記事
2012-01-31電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 426p.77-82
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引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解

引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解
記事
2012-01-20電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 422p.17-20
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金属/TiO_2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響

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デジタル記事
沖元, 直樹, 岩田, 達哉, 西, 佑介, 木本, 恒暢一般社団法人 電子情報通信学会2012-12電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス112 337p.129-132
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混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討

混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討
紙記事
大見, 俊一郎, OHMI, Shun-ichiro一般社団法人電子情報通信学会2011-10電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 249p.59-62
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急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴

急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
記事
2012-01-31電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 426p.71-76
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電荷変調分光法・光第2次高調波発生法による有機FETの動作解析

電荷変調分光法・光第2次高調波発生法による有機FETの動作解析
紙記事
岩本, 光正, IWAMOTO, MITSUMASA一般社団法人電子情報通信学会2011-04電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 4p.25-30
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キラル表面上に作製したポリジアセチレン膜の評価

キラル表面上に作製したポリジアセチレン膜の評価
紙記事
岩本, 光正, IWAMOTO, MITSUMASA一般社団法人電子情報通信学会2011-04電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 4p.5-8
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リモートH_2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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デジタル記事
牧原, 克典, 福岡, 諒, 張, 海, 壁谷, 悠希, 大田, 晃生, 宮崎, 誠一, Makihara, Katsunori, Fukuoka, Ryo, Zhang, Hai, Kabeya, Yuuki, Ohta, Akio, Miyazaki, Seiichi一般社団法人電子情報通信学会2013-06-11電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス113 87p.47-50
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Ti電極上コバルトナノ粒子の位置選択性制御

Ti電極上コバルトナノ粒子の位置選択性制御
記事
2011-12-09電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 357p.29-30
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光学モバイル用途に優れたSOQ(シリコン・オン・クォーツ)デバイス

光学モバイル用途に優れたSOQ(シリコン・オン・クォーツ)デバイス
記事
2012-01-20電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 422p.29-32
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TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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デジタル記事
村上, 秀樹, 三嶋, 健斗, 大田, 晃生, 橋本, 邦明, 東, 清一郎, 宮崎, 誠一, MURAKAMI, Hideki, MISHIMA, Kento, OHTA, Akio, HASHIMOTO, Kuniaki, HIGASHI, Seiichiro, MIYAZAKI, Seiichi一般社団法人電子情報通信学会2012-06-14電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス112 92p.33-36
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MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性

MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性
記事
2012-01-31電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス111 426p.59-64
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