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- 一般注記...hnical report (ED2002-1〜7 (2002)...... 大きさ変更: 26cm (-ED2001-251〜258 (2001))→30cm (ED2002-1〜7 (2002)......てのVol.,No.を併記. ED86-162〜169はVol.86 No.373に当たる
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- 件名フィールドエミッタアレイ 電子デバイス 空間電荷効果 field emitter array el...
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- 要約等...開発や防衛分野では、高出力真空電子デバイスがキーコンポーネントである。最......が開発されている。 IEEE EDSは、この分野の研究開発成果をまとめる目的で真空電子デバイス国際会議(IVEC)を2000年に設立した。これまで開催され...
- 件名...加速器 熱核融合 レーダ 真空電子デバイス マイクロ波管 進行波管 クライストロン Inductive...
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- 要約等...果を有するデバイスは、将来の単電子デバイスの一つの応用例となると考えられる。
- 件名量子ドット 帯電効果 自然形成InAs 単電子デバイス 有効質量 メモリ quant......ct self-assembled InAs single electron device e...
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- 要約等...)構造を有する、化合物半導体単電子デバイスを提案し、その特性を評価した。......Gゲート構造が、化合物半導体単電子デバイスの実現に有用であることを示唆している。
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- 件名マルチメディアサービス 電子商取引(EC) ビデオオンデマンド(VOD) multimedia service electric commerce v...
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- 要約等III-N系半導体が電子デバイスとしても「もの」になるか否か?......このことは、GaN/AlN系が電子デバイス用材料として極めて有望であることを示唆する。さらに、GaNに...
- 件名...ン関数法 窒素欠陥 光学異常 電子デバイス Nitride semiconductors Deep d...
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- 要約等...ng and high-speed wireless data ......nnel diodes based on III-V compo......tics, such as reduced 1/f noise, hig......its. We evaluated performance of InP-based, zero-bias, squ......area demonstrated sensitivities above 500 V/W. ...
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- 要約等...e have introduced (NH_4)_2S surf......tment was studied using Al_2O_3/......ity was decreased by (NH_4)_2S s......oltage is relaxed. These results......sity is decreased by (NH_4)_2S s......chnical Report;ED2011-36, IEICE Technical Repor...
- レポート番号(雑誌記事)ED2011-36
- 並列タイトル等(連結)Fabrication of AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 gate oxide deposited by atomic layer deposition
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- 件名...conductor coupled multilayer cavity Sum frequen...
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