半導体結晶成長

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半導体結晶成長

大野英男【編著】
価格 ¥4,180（本体¥3,800）
コロナ社（1999/01発売）
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サイズ A5判／ページ数 265p／高さ 22cm
商品コード 9784339007046
NDC分類 549.8
Cコード C3055

内容説明

本書は多様な半導体の結晶成長について、表面における原子・分子の動きをとらえることから、結晶成長とその技術、さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説したものである。

１　走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察
２　Ｓｉ‐Ｇｅ系のＣＶＤエピタキシーと原子層成長制御
３　ＧａＡｓの単分子成長機構
４　ＩＩＩ‐Ｖ族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
５　ＩＩＩ‐Ｖ族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
６　ＩＩ‐ＶＩ族半導体量子井戸の作製と光物性
７　ＺｎＳ系材料の分子線エピタキシー成長
８　垂直ブリッジマン法によるｔｗｉｎ‐ｆｒｅｅ　ＺｎＳｅ単結晶の作製と評価
９　高純度ＺｎＳｅおよびＣｄＴｅバルク単結晶の成長と評価
１０　磁性半導体Ｅｕカルコゲナイドの結晶作製
１１　カルコパイライト型化合物の結晶成長